一、核心研发主体与技术突破
在深圳的技术研发领域，有一颗璀璨的新星正在升起深圳新凯来公司。作为首台达到国际先进水平的7纳米光刻机的研制主体，该公司于2025年3月26日在上海SEMICON China展会上展示了他们的骄傲成果。这一纯国产光刻机不仅工艺制程覆盖至尖端水平的7纳米，还具备升级到更先进的5纳米制程的潜力。技术上的突破让人瞩目：
光源技术是其中的核心亮点。该公司采用激光诱导放电等离子体（LDP）光源，实现了高达2.3%的能量转换效率，这一数字远超当前领先的ASML公司达到的0.8%。这意味着在生产过程中的能量损失大大减少，从而极大地降低了制造成本，实现了成本的降低约达40%。
光学系统也是这场技术革命的关键一环。长春光机所开发的先进光学系统搭载有40层钼硅薄膜反射镜，具有出色的波前畸变控制能力，达到了惊人的0.05纳米级别。这一创新成果结合了量�***泶┛刂扑惴ǎ迪至说ゴ纹毓饧纯纱锏�13纳米线宽的精度。
协同研发的努力也带来了令人瞩目的成果。哈工大研发的120W LDP光源技术被融合进来，稳定输出13.5nm波长极紫外光，为光源技术的进一步提升打下了坚实的基础。
在刻蚀设备和原子层沉积方面，新凯来也取得了重大突破。刻蚀设备的选择性刻蚀比高达1000:1，解决了长期以来困扰行业的3D NAND堆叠层蚀刻难题。而在原子层沉积技术方面，金属栅极沉积精度达到了惊人的0.1（原子级），这一成就攻克了3纳米以下工艺的技术瓶颈。
二、产业链配套与挑战
在技术突破的新凯来也面临着产业链配套的挑战。关键材料如光刻胶和特种气体，有高达80%依赖进口。测量设备等配套技术也仍需进一步完善。这些问题都是新凯来在前进道路上需要克服的难关。
人才瓶颈也是公司面临的一大挑战。国内顶尖的光刻工程师数量稀少，不足200人，且这些工程师的经验大多集中在较为成熟的45纳米工艺上。而对于更先进的工艺制程，人才储备明显不足。由于国内企业更倾向于采购进口设备，国产光刻机面临着“不用则落后”的生态困境。
三、未来展望
展望未来，新凯来的光刻机计划在2025-2027年间在小批量车载芯片、物联网设备领域进行试产。其成本预计将是进口方案的3倍以上。尽管如此，中科院等其他机构在纳米压印技术等方面的创新努力，以及华为在芯片堆叠方案上的，都为“等效7纳米”技术的商业化提供了新的可能性和路径。这些创新力量将共同推动国内半导体产业的发展。
四、其他技术主体的角色
在半导体产业的技术研发中，除了新凯来公司外，还有其他重要的技术主体。上海微电子装备有限公司就是其中之一。虽然该公司在2025年4月被报道拥有国内唯一的7纳米光刻机，但其技术路径可能与新凯来存在差异。该公司更注重对现有设备的改良和多次曝光工艺的优化。这样的技术路径差异为国产光刻机的研发带来了新的活力和可能性。
